Lead
Eingebettete Speicher in modernen integrierten Schaltungen erreichen oft die Grösse von vielen hundert Megaits die dann bis zu 75% der Chipfläche beanspruchen. Speicher besteht heutzutage aus SRAM, das in Form einer Vielzahl gleicher oder ähnlicher IP Makros hundertfach in Schaltungen integriert wird. Jede Verbesserung dieser grundlegenden IP Marko hat daher einen überragenden Einfluss auf den Preis fast aller integrierten Schaltungen.

Lay summary

Während heutige 6T SRAMs zwischen 6 und 8 Transistoren pro Bit benötigen, speichert Gain-Cell Embedded DRAM (GC-eDRAM) Daten als Ladungen und kommt daher mit nur 2-3 Transistoren pro Bit aus. GC-eDRAM Speicher sind daher um bis zu 50% kleiner als SRAM oder bieten die doppelte Speichermenge in der gleichen Fläche (bei gleichen Kosten). Ähnlich wie bei SRAM existieren verschiedene Formen von GC-eDRAM (2T, 3T, 4T, …) die sich durch unterschiedliche Tradeoffs zwischen Fläche, Retention Time, Geschwindigkeit oder Power auszeichnen.

Unsere Arbeit basiert auf einem Jahrzehnt führender Forschung im Bereich eingebetteter Speicher. Insbesondere unsere Arbeit an GC-eDRAMs ist in mehr als 20 Peer-Reviewed Konferenzen, Zeitschriften und Büchern erschienen und ist durch 2 bereits akzeptierte und 6 eingereichte Patente geschützt.

Das Ziel dieses Projektes und ein notwendiger Schritt zur Vermarktung unserer Technologie ist die industrielle Qualifizierung und Zertifizierung eines grossen GC-eDRAM Speicher Bausteins als „Proof of Concept“. Das Resultat des Projektes ist der Schlüssel zur Akzeptanz unserer Forschung durch potenzielle Kunden die unsere Technologie in der Massenproduktion einsetzen wollen. Der Prototyp aus diesem Projekt ist damit unsere Eintrittskarte in den IP Markt.